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Transistor 2SK2251

Transistor 2SK2251 N-MOS+D 250V 2A/8Ap 20W 1.2R. FAP-IIA SERIES. High speed switching. td(on):25nS. dt(off):50nS. Constructeur: FUJ. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2 A. Rds (Ohms): 1.2.

Transistor 2SK2312

Transistor 2SK2312 N-MOS+Z 60V 45A/160Ap. 45W 0.013R. Field Effect Type: L2-TT-MOSV. Chopper Regulator. DC-DC Conv.. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 45 A. Rds (Ohms): 0.013.

Transistor 2SK2314

Transistor MOSFET canal N 100V 27A/108Ap 75W 0.09R

Transistor 2SK2333

Transistor 2SK2333 N-MOS 700V 6A 50W <2R(3A). V-MOS (F). MOS-N-FET. Constructeur: Shindengen Electric. Boîtier: 70/160nS. Tension de Drain maxi: 700 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 50 W

Transistor 2SK2372

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+D 500V 25A. Référence d'origine constructeur: 2SK2372-A. Marquage boîtier: K2372. Boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 25A. Puissance: 160W. Résistance Rds: 0.23 Ohms.

Transistor 2SK2417

Transistor 2SK2417 N-MOS+Z 250V 7.5A/30Ap. 30W<0.42R. Field Effect Transistor. MOS-N-FET. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.5 A. Rds (Ohms): 0.42. Courant impulsion: 30 Ap. Puissance: 30 W

Transistor 2SK246

Transistor 2SK246 N-FET 50V Idss: >1.2...3.0mA Up<6V. 2SK246Y. Paire: : 2SJ103. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-92. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 mA

Transistor 2SK2480

Transistor 2SK2480 N-MOS 900V 3A/12Ap. 35W RDS(on) 3.2R. MOS Field Effect Transistor. RDS (on):17nS. RDS (off):63nS. Constructeur: NEC. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A. Courant impulsion: 12 Ap.

Transistor 2SK2500

Transistor 2SK2507

Transistor 2SK2507 N-MOS+D 50V 25A/75Ap 30W 0.046R. Field Effect MOS Type(L2-TT-MOSV). Yfs: 8-16S. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 50 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 25 A. Rds (Ohms): 0.046. Courant impulsion: 75 Ap.

Transistor 2SK2538

Transistor 2SK2538 N-MOS 250V 2A/4Ap 30W <1.2R. Power F-MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: MAT. Boîtier: TO-220F (2SK2538000LB). Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2 A. Rds (Ohms): 1.2. Courant impulsion: 4 Ap. Puissance: 30 W

Transistor 2SK2543

Transistor 2SK2543 N-MOS+Z 500V 8A 40W 0.85R (4A). MOS Type (TT.MOSV). Switching Regulator. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4 A. Rds (Ohms): 0.85.

Transistor 2SK2544

Transistor 2SK2544 N-MOS 600V 6A 80W <1.25R (3A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3 A. Rds (Ohms): 1.25. Puissance: 80 W

Transistor 2SK2545

Transistor 2SK2545 N-MOS+Z 600V 6A/24Ap 40W <1.25R (3A). TT-MOS (F). MOS-N-FET. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3 A. Rds (Ohms): 1.25.

Transistor 2SK2605

Transistor 2SK2605 N-MOS+Z 800V 5A IDp:15A 45W 1.9R. Field Effect (TT-MOSIII). High Speed. H.V. Switch. DC-DC Conv.. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A

Transistor 2SK2607

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 9A. Boîtier: TO-3P. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 9A.

Transistor 2SK2610

Transistor 2SK2610 N-MOS+Z 900V 5A IDp:15A 150W 2.3R. Field Effect (TT-MOSIII). High Speed. H.V. Switch. DC-DC Conv.. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A

Transistor 2SK2611

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 900V 9A. Boîtier: TO-3P. Vds(max): 900V. Id(@25ºC): 9A.

Transistor 2SK2615

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de Drain maxi: 2A. Puissance: 1.5W. Rds: 3.73 Ohms.

Transistor MOSFET canal-N 2SK2632LS

Transistor MOSFET canal-N 800V 2.5A 25W. Résistance passante RDSon : 4.8 Ohms (1.3A)

Transistor 2SK2645

Transistor 2SK2645 N-MOS 600V 9A/32Ap. 50W<1.2R. FAP-IIS Series MOS-FET. High Speed Switching. Constructeur: FEC. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Rds (Ohms): 1.2. Courant impulsion: 32 Ap.

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